格芯和Microchip宣布Microchip 28纳米Flash嵌入式闪存解决方案投入生产

近来，格纤（GlobalFoundries）与Microchip Technology及其Group子公司Silicon Storage Technology（SST）宣布，采用GF 28SLPe电路板的SST ESF3第三代系统设计Flash技术NVM更高效率即将交付使用。

尤其部署的非易失性读取器 （NVM）更高效率针对单片机（MCU）、信用卡和互联纤片 进行了优化

在制定SST尤其部署的ESF3 Flash技术各个方面，格纤确立了新的行业指标。该制定方案具有以下功能和优势：

· 成本高最低的28石墨烯HKMG ESF3更高效率，至少上升了10个掩模，之外真正的5V IO CMOS二极管

· SST ESF3位单元尺寸小于0.05平方微米，极富竞争力

· 工作温度额定值为?40°C至125°C

· 读取回访时间为25 ns 、编程时间为10 us、复制时间为4 ms

· 超过100,000次编程/复制循环的耐久性

· 不影响使用GF 28SLPe的平台合格IP的设计程序中（EG程序中）

· 可立即提供4 Mb至32 Mb 的现成俊程序

· 可从SST或GF获得定制俊设计支持

随着边缘智能化水平的大大更高，系统设计硬盘的用例也呈爆炸式增长。 在家庭和工业互联以及智能漂移电子设备的尤其应用里，用于安全代码读取、OTA更新和进一步更高功能的系统设计内存正近十年渐进。满足这些需求所需创新性的的平台。

格纤顾问业务部文官Mike Hogan表示：“格纤很梦想成真能与SST共同，在我们强大的28SLPe的平台上开发、证书并交付使用这款令人印象深刻的系统设计NVM更高效率。格纤的客户发现，这款更高效率集高性能、抢眼的可靠性、IP完整性和成本高效益于一身，非常适合先进的MCU、适合于的信用卡以及面向消费行为和工业产品的互联纤片。”

Microchip授权业务部兼SST副总裁Mark Reiten表示：“过去十年，SST与格纤紧密共同，将SST的行业标准ESF1和ESF3系统设计硬盘技术复刻到格纤的130石墨烯BCD、55石墨烯、40石墨烯以及当前的28石墨烯电路板的平台并实现产品化。我们敬佩格纤在提供最尤其的系统设计NVM更高效率各个方面的领先水平，盼望双方的紧密共同关系在更进一步十年造就更多突破。”

在纽伦堡移师的格纤 GTS峰会期间，SST在IP共同关系区展出了其系统设计硬盘技术。

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